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Teclado Matricial 4×4 Tipo Membrana
- 16 botones con organización matricial (4 filas x 4 columnas)
- Teclado tipo membrana
- Mayor resistencia al agua y al polvo
- Auto adhesivo en la parte de atrás
- Tiempo de rebote (Bounce time): ≤5 ms
- Máximo voltaje operativo: 24 V DC
- Máxima corriente operativa: 30 mA
- Resistencia de aislamiento: 100 MΩ ( 100 V)
- Voltaje que soporta el dieléctrico: 250 VRMS ( 60Hz, por 1 min)
- Expectativa de vida: 1.000.000 de operaciones
- Dimensiones del pad: 6.9 x 7.6 cm aprox.
- Cable de cinta plana de 8.5 cm de largo aprox. (incluido el conector)
- Conector tipo DuPont hembra de una fila y 8 contactos con separación estándar 0.1″ (2.54mm)
- Temperatura de operación: 0 a 50 °C
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Teclado Matriz 1×4 Membrana
- Tipo: Teclado tipo membrana
- Botones: 4 botones
- Tamaño de la Matriz: 1×4 (1 Fila, 4 Columnas)
- Voltaje Máximo: 24V
- Corriente Máxima: 30mA
- Cable tipo ribbon incluido: Si
- Longitud: 87mm
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TIP 122
El TIP122 Transistor NPN de Darlington de potencia esta diseñado para manejar corrientes y voltajes altos, cuenta con un voltaje colector-emisor mínimo de 100V y una corriente máxima de colector 5A. En conjunto con su complemento PNP, el TIP127, se utiliza en configuraciones push-pull o en amplificadores complementarios de audio para mejorar la calidad y rendimiento del sonido.
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TIP 3055
El TIP3055 Transistor NPN es un transistor de potencia de silicio, puede manejar una corriente continua de 15A y un voltaje de 60V colector-emisor, lo que lo hace útil en una amplia gama de aplicaciones donde se requiere control de potencia
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TIP 31C
El TIP31C es un transistor de 100V con polaridad NPN epitaxial de silicio usado para la conmutación de potencia lineal media, es de uso general y adecuados para muchas aplicaciones. Es complementario a TIP29 / 29A / 29B / 29C.
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TP4056 Cargador de bateria de litio – tipo c
TP4056 Cargador de Baterías es un pequeño módulo que permite cargar baterías de Li-Ion o LiPo de una celda 1S.
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Transistor 2N2222A
2N2222A es un transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de conmutación. Este transistor tiene un encapsulado de metal TO-18 de 3 pines que son base, colector y emisor, donde el emisor se encarga de emitir o inyectar electrones, la base permite transferir o pasar los electrones y el colector se encarga de colectar electrones.
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TRANSISTOR 2N3904
Empaquetado: TO-92
Voltaje Colector-Base VCBO: 60 V
Voltaje Colector-Emisor VCEO: 40 V
Corriente Colector IC: 200 mA
Poder de disipación total PC: 625 mW
ganancia del transistor en corriente continua hFE: 30
Frecuencia de Transición fT: 300 MHz
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Transistor 2N3906
El 2N3906 PNP es un dispositivo electrónico de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para amplificar señales de voltaje o corriente.
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TRANSISTOR BC547 NPN
Empaquetado: TO-92
Voltaje Colector-Base VCBO: 50 V
Voltaje Colector-Emisor VCEO: 45 V
Corriente Colector IC: 100 mA
Poder de disipación total Ptot: 625 mW
ganancia del transistor en corriente continua hFE: 120
Frecuencia de Transición fT: 300 MHz
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Transistor BC548
El BC547C NPN pertenece a la familia de transistores BC546, BC548, BC549 y BC550. Todos ellos son de tipo bipolar o de unión bipolar (por sus siglas en inglés BJT de Bipolar Junction Transistor).